頻率:10 ~ 50 MHz
尺寸:7.00mm x 5.00mm
格林雷晶振,T75系列,溫補晶振,T75-T57-LG-20.0MHz,7050振蕩器,進口石英貼片
溫度補償晶體振蕩器(TCXO)包括數字補償晶體振蕩器和微機補償晶體振蕩器。器件內部采用模擬補償網絡或數字補償方式、利用晶體負載電抗隨溫度的變化而補償晶體元件的頻率-溫度特性,以達到減少其頻率-溫度偏移的晶體振蕩器。格林雷晶振,T75系列晶振編碼為:T75-T57-LG-20.0MHz,頻率為:20.000MHz,尺寸為7.00mm x 5.00mm,6墊腳貼片晶振,TCXO溫補晶振,進口石英貼片,有源晶振,小而堅固的7050毫米包裝,耐振動,高沖擊高達50000克,緊密的溫度穩定性的±0.3ppm超過-10℃至+60℃,優秀的長期老化< 1 ppm超過10年,低功耗,低至2 mA,使可靠的,電池操作的性能提高。T75系列有源晶振具有輕薄型,低抖動,低功耗,低電源電壓,低相位噪聲,低電平等特點。
格林雷晶振,T75系列,溫補晶振,T75-T57-LG-20.0MHz,7050振蕩器,進口石英貼片
溫度補償晶體振蕩器(TCXO)包括數字補償晶體振蕩器和微機補償晶體振蕩器。器件內部采用模擬補償網絡或數字補償方式、利用晶體負載電抗隨溫度的變化而補償晶體元件的頻率-溫度特性,以達到減少其頻率-溫度偏移的晶體振蕩器。格林雷晶振,T75系列晶振編碼為:T75-T57-LG-20.0MHz,頻率為:20.000MHz,尺寸為7.00mm x 5.00mm,6墊腳貼片晶振,TCXO溫補晶振,進口石英貼片,有源晶振,小而堅固的7050毫米包裝,耐振動,高沖擊高達50000克,緊密的溫度穩定性的±0.3ppm超過-10℃至+60℃,優秀的長期老化< 1 ppm超過10年,低功耗,低至2 mA,使可靠的,電池操作的性能提高。T75系列有源晶振具有輕薄型,低抖動,低功耗,低電源電壓,低相位噪聲,低電平等特點。
格林雷晶振,T75系列,溫補晶振,T75-T57-LG-20.0MHz,7050振蕩器,進口石英貼片
| Frequency | 10.0 MHz to 50.0MHz | ||
| Output | CMOS or Clipped Sinewave | ||
| Symmetry | 50% ± 10% (CMOS) | ||
| Output Level | Clipped SINE - +0.8V p-p typ into 10pF/10k ohm load;HCMOS – T75 - +0.2V max to +2.8V min; T76 - +0.2V max to +4.2V min (15pF load) | ||
|
Temp Stability (other stabilities available) |
Temp Range | Tolerance | Option |
| -10°C to +60°C | ±0.3 ppM | G37 | |
| -20°C to +70°C | ±0.5 ppM | N57 | |
| -40°C to +85°C | ±0.5 ppM | T57 | |
| -40°C to +85°C | ±1.0 ppM | T16 | |
| -55°C to +95°C | ±3.0 ppM | V36 | |
| Aging | <1 ppM/yr (10 MHz typ) | ||
| Freq Adjust | ±7 ppM typ via 0 to Vcc control V, positive slope | ||
| Supply Voltage | +3.3 VDC ± 5% or +5.0 VDC | ||
| Supply Current | < 6mA for HCMOS; < 3mA for SINE | ||
| Accel Sensitivity | ≤2.5x10-9/g (“SD” option); ≤7x10-10/g (“LG” option) | ||
格林雷晶振,T75系列,溫補晶振,T75-T57-LG-20.0MHz,7050振蕩器,進口石英貼片